Техно
Со децении верувавме дека минијатуризацијата на чиповите има свои граници, но јапонските истражувачи ја пробија токму таа бариера. Истражувачите од Токискиот институт за наука развија мемориска ќелија со дијаметар од само 25 нанометри. Таа е околу 3.000 пати потенка од човечката коса. Ова откритие би можело фундаментално да ја промени електрониката што ја користиме секој ден.
Технологијата е базирана на спојот на фероелектричниот тунел (FTJ), концепт предложен во 1971 година. Клучен пробив се случи во 2011 година, кога беше откриено дека хафниум оксидот може да ги задржи електричните својства дури и во ултратенки слоеви. Проблемот досега беше „протекувањето“ струја низ ситните кристали во материјалот. Тимот на професорот Јутака Маџима го реши тоа на сосема неверојатен начин – наместо да се борат против „протекувањето“, тие го направија уредот уште помал. На тој начин го намалија влијанието на границите на кристалите и развија нов метод на производство. Со загревање на електродите, тие постигнаа природна полукружна форма, што создаде структура слична на монокристал, со значително помалку места за губење струја.
Резултатот ги надмина сите очекувања. Меморијата всушност работи подобро колку што е помала, побивајќи ја долгогодишната претпоставка во електрониката дека намалувањето нужно ги намалува перформансите. Примената на оваа технологија би можела да доведе до тоа паметните часовници да работат со месеци без полнење, додека сензорските мрежи би можеле да работат со години без замена на батериите. Во светот на вештачката интелигенција, овој вид меморија овозможува драстично побрза обработка на податоци со неспоредливо помала потрошувачка на енергија.
Добрата вест е дека хафниум оксидот е веќе компатибилен со денешното производство на чипови, па интеграцијата во телефоните и часовниците би можела да се случи многу брзо.
